Élaboration des Matériaux par Épitaxie

Contact: Nicolas BERTRU

L’équipe OHM de l’Institut Foton est dotée d’un ensemble d’équipements dédiés à la croissance de matériaux III-V et/ou Silicium. Elle bénéficie d’une forte expérience dans la croissance de matériaux sur substrats InP, ainsi que la croissance basse température (<200 °C) de composés à la base Si.

Elle bénéficie ainsi d’un savoir-faire dans la croissance des :

• Matériaux de la filière InP : InP, InAs, InGaAs, InAlAs, InAsP, In1-xGaxAtP1-y (1,18µm<l<1,6µm) sur InP(100) et InP(311)B, InGaAlAs, GaAsSb, AlAsSb. BQ InAs sur InP(311)B, Qdash InAs sur InP(100) (1,5µm<l<1,8µm) 
• Matériaux de la filière GaAs : GaAs, AlAs, InGaAs, AlGaAs
• Matériaux de la filère GaP : Gap, AlP, GaAsP, GaAlP
• Matériaux de la filière Si : Si

Depuis 2024, suite au projet Equipex + NANOFUTUR porté par le réseau Renatech + du CNRS et complété par les projets CPER Mat & Trans, AES PIMENTS Rennes Métropole, DSG2 INSA/ministère Hydrogène, PPI INSA Rennes, le pôle dispose des moyens suivant:

• Réacteurs de croissance épitaxiale de matériaux Si et III-V :
  • 2 MBE
  • 1 UHV-CVD
• Tunnel sous ultra vide pour l’interconnexion des réacteurs
• Chambre de préparation de surfaces

Plus d’information sur les compétences et équipements de l’équipe en Élaboration des Matériaux par Épitaxie sont disponibles sur la page dédiée de la plateforme nanoRennes.

Personnels techniques impliqués